BRATTAIN, Walter Houser
BRATTAIN, Walter Houser

Descripción

Walter Houser Brattain, [Amoy (China), 1902 – Seattle (Estados Unidos), 1987]. Fue un físico estadounidense. Contribuyó al estudio de la física del estado sólido. Descubrió el efecto fotovoltaico en la superficie libre de un semiconductor e inventó el transistor de punta de contacto, conjuntamente con John Bardeen. Recibió el Premio Nobel de Física con John Bardeen y William Shockley por el diseño del transistor de germanio en 1956.
 
Biografía
 
Walter Houser BRATTAIN nació el 10 de febrero de 1902 en Amoy (China). Su padre fue profesor de Ciencias en Amoy. En 1903 la familia decidió trasladarse al Estado de Washington. En 1924 se graduó en física en el Whitman College de Walla Walla (Washington) y en 1926 consiguió un Master en Ciencias en la Universidad de Oregón.
 
En 1928 ingresó en el National Bureau of Standards (NBS), donde colaboró con Vicent E. Heaton en el desarrollo de un oscilador portátil de frecuencia patrón.
 
En 1929 se doctoró en la Universidad de Minnesota, siendo contratado poco después por los Laboratorios Bell de Nueva York, gracias a la intervención de Joseph A. Becker. Sus investigaciones se centraron en las propiedades superficiales de los sólidos. Partió de la emisión termoiónica y la absorción por capas de tungsteno. Pasó al campo de la rectificación en las superficies de un semiconductor, comenzando con un estudio en la superficie del óxido cuproso. Repitió los mismos ensayos sobre el silicio. Y durante la II Guerra Mundial participó en diversos programas militares investigando tanto con el silicio como con el germanio, así como en un programa de detección submarina.
 
Las contribuciones más destacadas de Walter Brattain a la física del estado sólido fueron el descubrimiento del efecto fotovoltaico en la superficie libre de un semiconductor; la invención del transistor de punta de contacto, conjuntamente con John Bardeen, que patentaron en 1950; y las investigaciones desarrolladas en los Laboratorios Bell para conocer las propiedades en la superficie de los semiconductores, con Bardeen primero, con C.G.B. Garrett más tarde y finalmente con P.J. Boddy. Tras esta etapa, Brattain trabajó en el grupo de investigación que lideraba William Shockley, donde surgió la invención del transistor de germanio en 1956.
 
En 1956 Walter Brattain recibió el Premio Nobel de Física con John Bardeen y William Shockley por el diseño del transistor de germanio. Este descubrimiento se considera la base del posterior desarrollo de los microprocesadores.
 
Brattain no sólo fue reconocido con el Premio Nobel, también recibió la Stuart Ballantine Medal del Franklin Institute en 1952; y la John Scott Medal de la ciudad de Filadelfia en 1955. Asimismo obtuvo diversos Doctorados Honoris Causa, entre ellos, de la Universidad de Portland en 1952; Whitman College de Walla Walla en 1955; Union College Schenectady en 1955; y de la Universidad de Minnesota en 1957.
 
En 1957 abandonó su trabajo en los Laboratorios Bell, para dedicarse a la docencia y a la investigación en biofísica en el Whitman College.
 
Walter Brattain contrajo matrimonio en 1935 con la Dra. Keren Gilmore. La pareja tuvo un hijo, William Gilmore Brattain. Tras fallecer su primera mujer, en 1958 se casó en segundas nupcias con Emma Jane Kirsch Miller.
 
Walter Houser Brattain falleció el 13 de octubre de 1987 en Seattle, a los 85 años, tras padecer Alzheimer durante cuatro años.
 
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