SHOCKLEY, William Bradford
SHOCKLEY, William Bradford

Descripción

William Shockley, (Londres, 1910 – Palo Alto, 1989). Físico, profesor, inventor, consultor y empresario estadounidense. Sus investigaciones en el campo de la física del estado sólido permitieron la sustitución de los tubos de vacío. Con su equipo de trabajo inventó el transistor de ‘punta de contacto’ y el transistor de ‘unión’. Fundó la Shockley Semiconductor Laboratory primera compañía de semiconductores instalada en el actual Silicon Valley. Recibió el premio Nobel en Física en 1956, junto a John Bardeen y Walter Housen Brattain, por sus trabajos de investigación sobre los semiconductores.

Más en

Libros | Videoteca
Biografía

William Bradford SHOCKLEY nació el 13 de febrero de 1910 en Londres (Inglaterra) en el seno de una familia estadounidense acomodada. Al cumplir William tres años, los Shockley regresaron a Palo Alto (California). Su padre, ingeniero, y su madre, topógrafa, no llevaron a su hijo a la escuela hasta que el niño cumplió ocho años.

En 1927 William Shockley inició sus estudios en la Universidad de California en Los Ángeles. Un año más tarde ingresó en el Instituto de Tecnología de California (CalTech). Se licenció en Física en 1932. Fue becado para comenzar una nueva etapa académica en el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT). Se doctoró con su tesis “Calculation of Electron Wave Functions in Sodium Chloride Crystals” en 1936.

El mismo año en que terminó sus estudios comenzó a trabajar en los Bell Telephone Laboratories en Nueva York. Encargado de desarrollar nuevos tubos electrónicos, colaboró con John R. Pierce, patentando conjuntamente un tubo multiplicador. Fue también durante esta época cuando Shockley comenzó sus investigaciones en el campo de la física del estado sólido.

Durante la II Guerra Mundial a Shockley le encomendaron dirigir la investigación sobre las operaciones antisubmarinas de la Marina de los EEUU, siendo más tarde nombrado asesor del Servicio del Secretario de la Guerra en 1945.

Al terminar las hostilidades, retomó su trabajo en los Laboratorios Bell, donde pasó a encargarse de un grupo de investigación dedicado a estudiar los semiconductores. Una parte del equipo enfocaba sus investigaciones hacia la comprensión teórica de los semiconductores, sin embargo, Shockley perseguía conseguir un amplificador de estado sólido que desplazase a los tubos de vacío voluminosos y poco eficientes.

En 1948, John Bardeen y Walter H. Brattain materializaron la idea práctica del grupo de investigación de Shockley.  El equipo inventó el transistor del tipo punta de contacto mediante el empleo de un rectificador de germanio, con contactos metálicos que incluían una aguja en conexión con el cristal. Con sus trabajos demostraron que los cristales de germanio eran mejores rectificadores que los utilizados hasta la fecha, dependiendo su efecto de la traza de impurezas contenidas en los mismos. Como Shockley no fue un participante directo en el invento decidió continuar su propia línea de investigación y poco después construyó el transistor de unión, que usaba una unión entre dos partes, tratadas de modo diferente, de un cristal de silicio. Tales semiconductores de estado sólido tienen la virtud de rectificar y amplificar la corriente que circula a través de ellos. Gracias a estos aparatos pequeños y muy fiables se abrió camino hacia la miniaturización de los circuitos de radio, televisión, y de los equipos de ordenadores.

Siguiendo con sus investigaciones sobre el transistor, Shockley en 1951 inventó el transistor unipolar, que patentó en 1956. También, diseñó un dispositivo semiconductor de resistencia negativa, que tras mejorarlo fue usado en alta frecuencia.

Shockley y varios colegas de los laboratorios estudiaron el fenómeno de la corriente inversa en las uniones p-n, explicándolo según la teoría de Clarence M. Zener sobre la ruptura eléctrica en dieléctricos sólidos. La aplicación práctica de este fenómeno se materializó en un diodo semiconductor que Shockley bautizó como diodo Zener. En 1955 diseñó un diodo de cuatro capas semiconductoras denominado inicialmente diodo conmutador y conocido posteriormente como diodo Shockley. Consiguió la patente en 1958.

Shockley contribuyó, además, de manera decisiva, a las técnicas de fabricación de semiconductores desarrollando dos métodos que se convirtieron en fundamentales: el proceso de difusión y el de implantación iónica.

En 1955 decidió dar un cambio de rumbo. Dejó su trabajo en los laboratorios y se trasladó a California. Fundó la compañía Shockley Semiconductor Laboratory en Stanford con la ayuda de Arnold O. Beckman. Está considerada la primera compañía de semiconductores instalada en el actual Silicon Valley. En 1956 patentó un nuevo registro de desplazamiento, que implícitamente llevaba la idea de un circuito digital monolítico o circuito integrado.

La intención de Shockley era que la empresa realizara el ciclo completo, es decir, la investigación, el desarrollo y la producción de dispositivos semiconductores. Pero su capacidad como hombre de negocios era escasa y la compañía fue de mal en peor. Y así, en 1957 Robert N. Noyce y Gordon E. Moore abandonaron la compañía junto a otros seis empleados y crearon Farirchild Semiconductor. La empresa Clevite Transistor compró Shockley Semiconductor Laboratory en 1960. Shockley fue consultor de la compañía hasta 1965, pero ese mismo año la multinacional ITT la compró en su totalidad.

Tras la puesta en marcha de su compañía estableció contacto con la Universidad de Stanford, donde fue contratado como profesor de ingeniería en 1963. Su carrera docente duró hasta 1975, cuando se jubiló. Tras su empleo en Stanford fue nombrado profesor emérito. En 1965, regresó a los Laboratorios Bell para desempeñar funciones de consultor, participando además en el desarrollo de memorias magnéticas.

Durante sus últimos años, Shockley se dedicó a promover su teoría de la ‘disgenia’, que defendía que los descendientes de África eran intelectualmente inferiores a los caucasianos. Sus artículos y discursos incendiarios al respecto, empañaron en alguna medida su extraordinaria contribución a la ciencia en el estudio y desarrollo de los semiconductores.

En 1956 William Bradford Shockley recibió el premio Nobel en Física, junto a John Bardeen y Walter Housen Brattain, por sus trabajos de investigación sobre los semiconductores.

A lo largo de su vida recibió numerosos homenajes y reconocimiento, entre ellos:

·         La Medalla al Mérito del Ministerio de Defensa de EEUU en 1946.

·         Una Mención de Honor de la Asociación de las Fuerzas Aéreas Estadounidenses en 1951.

·         El Premio Morris Liebmann Memorial del Instituto de Ingenieros de Radio(IRE) en 1952.

·         El Premio Oliver E. Buckley de la Sociedad de Física de EEUU en 1953.

·         El Certificado de Reconocimiento del Ejército de los EEUU en 1953.

·         El Premio Comstock de la Academia de Ciencias de los EEUU en1953.

·         La Medalla Wilhelm Exnerde la Cámara de Comercio austríaca en 1963.

·         La medalla Holley de la Sociedad de Ingenieros Mecánicos de EEUU en 1963.

 
William Bradford Shockley falleció en Palo Alto (California) el 12 de agosto de 1989, a los 79 años de edad, como consecuencia de un cáncer de próstata.

Más información

- http://www.histel.com/z_histel/biografias.php?id_nombre=74

- https://es.wikipedia.org/wiki/William_Bradford_Shockley

- http://www.buscabiografias.com/biografia/verDetalle/9146/William%20Shockley%20-%20William%20Bradford%20Shockley

- http://mx.tuhistory.com/hoy-en-la-historia/william-shockley-invento-el-transistor
Foro

Foro Histórico

de las Telecomunicaciones

Contacto

Logo COIT
c/ Almagro 2. 1º Izq. 28010. Madrid
Teléfono 91 391 10 66 coit@coit.es
Logo AEIT
c/ General Arrando, 38. 28010. Madrid
Teléfono 91 308 16 66 aeit@aeit.es

Copyright 2017 Foro Histórico de las Telecomunicaciones