Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure (DH) blue-light-emitting diodes (LEDs) with the luminous intensity over 1 cd were fabricated. As an active layer, a Zn-doped InGaN layer was used for the DH LEDs. The typical output power was 1500 µW and the external quantum efficiency was as high as 2.7% at a forward current of 20 mA at room temperature. The peak wavelength and the full width at half-maximum of the electroluminescence were 450 and 70 nm, respectively. This value of luminous intensity was the highest ever reported for blue LEDs.
Notas/Comentarios de Fernando Calle:
Este artículo presenta uno de los primeros resultados en el desarrollo de los LEDs blancos. Es una de las numerosas aportaciones en la década de los 1990´s del Premio Nobel Shuji Nakamura al desarrollo de los LED y láseres de GaN, que permitieron crecer material de calidad por CVD, doparlo adecuadamente y fabricar dispositivos.
Este artículo presenta uno de los primeros resultados en el desarrollo de los LEDs blancos. Es una de las numerosas aportaciones en la década de los 1990´s del Premio Nobel Shuji Nakamura al desarrollo de los LED y láseres de GaN, que permitieron crecer material de calidad por CVD, doparlo adecuadamente y fabricar dispositivos.
Especificaciones
- Autor/es: S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh.
- Fecha: 1994-08
- Publicado en: Applied Physics Letters, Volume 64, Issue 13, March 28, 1994, pp.1687-1689.
- Idioma: Inglés
- Formato: PDF
- Contribución: Fernando Calle Gómez.
- Palabras clave: Láseres y electroóptica, Materiales, elementos y compuestos
