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Circuit element utilizing semiconductive material

Autor/es: William Shockley.
Fecha: 1948-06
Contribución: Fernando Calle Gómez.
Palabras clave: Dispositivos electrónicos
Publicado en: United States Patent Office nº US2569347A. Enviada: 26 junio de 1948. Concedida: 25 de septiembre de 1951.
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The transistor, a semi-conductor triode

Autor/es: John Bardeen, Walter H. Brattain.
Fecha: 1948-07
Contribución: Fernando Calle Gómez.
Palabras clave: Dispositivos electrónicos
Publicado en: Phys. Rev. 74, Pages: 230-231. Published 15 July 1948.
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Cramming more components onto integrated circuits

Autor/es: Gordon E. Moore.
Fecha: 1965-04
Contribución: Fernando Calle Gómez.
Palabras clave: Circuitos de estado sólido, Dispositivos electrónicos, Nanotecnología
Publicado en: Electronics, Volume 38, Number 8, April 19, 1965.
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Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes

Autor/es: S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh.
Fecha: 1994-08
Contribución: Fernando Calle Gómez.
Palabras clave: Láseres y electroóptica, Materiales, elementos y compuestos
Publicado en: Applied Physics Letters, Volume 64, Issue 13, March 28, 1994, pp.1687-1689.
Ver en IHARVARD.EDU

Electric field effect in atomically thin carbon films

Autor/es: K.S.Novoselov, A.K.Geim, S.V.Morozov, D.Jiang, Y.Zhang, S.V.Dubonos, I.V.Grigorieva, A.A.Firsov.
Fecha: 2004-10
Contribución: Fernando Calle Gómez.
Palabras clave: Materiales, elementos y compuestos, Nanotecnología
Publicado en: Science vol. 306, issue 5696, 22 Oct 2004, pp.666-669.
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History of gallium-nitride-based Light-Emitting Diodes for illumination

Autor/es: Shuji Nakamura; Michael R. Krames.
Fecha: 2013-10
Contribución: Fernando Calle Gómez.
Palabras clave: Láseres y electroóptica, Materiales, elementos y compuestos, ·Revisión histórica
Publicado en: Proceedings of the IEEE (Volume: 101, Issue: 10, Oct. 2013, Pages: 2211-2220).
Ver en IEEE.ORG

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