This invention relates to means for and methods of translating or controlling electrical signals and more particularly to circuit elements utilizing semiconductors and to systems including such elements.
Notas/Comentarios de Fernando Calle:
Tras el invento del transistor de punto de contacto de Bardeen y Brattain a finales de diciembre de 1947, su supervisor en Bell Labs William Shockley realizó un intenso trabajo teórico, y en muy pocas semanas demostró el transistor de unión p-n. Además, explicó su funcionamiento mediante la inyección de portadores minoritarios, que es como todavía funcionan los transistores de unión bipolar. Junto con Bardeen y Brattain, Shockley recibió el Premio Nobel en Física de 1956.
Tras el invento del transistor de punto de contacto de Bardeen y Brattain a finales de diciembre de 1947, su supervisor en Bell Labs William Shockley realizó un intenso trabajo teórico, y en muy pocas semanas demostró el transistor de unión p-n. Además, explicó su funcionamiento mediante la inyección de portadores minoritarios, que es como todavía funcionan los transistores de unión bipolar. Junto con Bardeen y Brattain, Shockley recibió el Premio Nobel en Física de 1956.
Especificaciones
- Autor/es: William Shockley.
- Fecha: 1948-06
- Publicado en: United States Patent Office nº US2569347A. Enviada: 26 junio de 1948. Concedida: 25 de septiembre de 1951.
- Idioma: Inglés
- Formato: PDF
- Contribución: Fernando Calle Gómez.
- Palabras clave: Dispositivos electrónicos
