"Holes" and "electrons" are words used to describe the two processes by which electrons carry current in semiconductors like silicon and germanium. These two processes, although prominent in theory for the last two decades, have acquired much greater reality as a result of new experiments stemming from the invention of the transistor. In fact a new engineering science, referred to as transistor electronics, is now being built about the behavior of holes and electrons.
Notas/Comentarios de José A. Delgado-Penín:
En este artículo de uno de los 'padres' del transistor se utilizan por primera vez los términos "huecos" y "electrones". Dichas palabras las utiliza para referirse a los procesos de transporte de cargas entre semiconductores. El autor considera que lo que él denomina portadores de carga electrones/huecos estaba dando origen a lo que fue/es la ciencia de la electrónica de los transistores.
En este artículo de uno de los 'padres' del transistor se utilizan por primera vez los términos "huecos" y "electrones". Dichas palabras las utiliza para referirse a los procesos de transporte de cargas entre semiconductores. El autor considera que lo que él denomina portadores de carga electrones/huecos estaba dando origen a lo que fue/es la ciencia de la electrónica de los transistores.
Especificaciones
- Autor/es: William Shockley.
- Fecha: 1950-11
- Publicado en: 1950 Conference On Electrical Insulation. Date of Conference: 01-03 November 1950.
- Idioma: Inglés
- Formato: PDF
- Contribución: José Antonio Delgado-Penín.
- Palabras clave: Dispositivos electrónicos, Materiales, elementos y compuestos