Biografía

Zhorés Ivánovich Alférov (Жорес Иванович Алфёров) nació el 15 de marzo de 1930 en Vítebsk (cuna también del pintor Marc Chagall), actualmente en Bielorrusia que entonces formaba parte de la Unión Soviética. Sus padres, Ivan Karpovich Alférov y Anna Vladimirovna Rosenblum, de origen judío, le pusieron de nombre Zhorés en honor al político socialista francés Jean Jaurès.

Iván, estibador, entró en el cuerpo de húsares en la I Guerra Mundial, donde por su bravura fue condecorado con la Orden de San Jorge, incorporándose en 1917 al partido bolchevique, en el que hizo amistad con Lenin, Trotsky y otros altos dirigentes del partido.

Durante su infancia Zhorés disfrutaba escuchando las historias de guerra junto a su hermano, Marx, quien se graduó el 21 de junio de 1941, justo un día antes de que se produjera la invasión nazi. Entonces la familia se mudó a los Urales donde Iván había conseguido hacerse con el cargo de director en una fábrica de nitrocelulosa de nueva construcción.

Finalizada la II Guerra Mundial, el adolescente Zhorés Alférov asístió a la escuela de Minsk, donde tuvo la suerte de que su profesor Yakov Borisovich Meltserson fuese un excelente físico, que le recomendó, al finalizar sus estudios de primaria en 1947, se matriculase en el Instituto Electrotécnico Ul'yanov de Leningrado.

En diciembre de 1952 Alférov se graduó con una tesis sobre la obtención de películas finas y la fotoconductividad de los componentes de teleruro de bismuto. Consiguió una de las tres plazas existentes para ingresar en el prestigioso Instituto Físico-Técnico de Leningrado, que había sido fundado, y dirigido durante treinta años, por Abram Fedorovich Ioffe hasta 1950, cuando Stalin lo destituyó por su condición de 'cosmopolita sin raíces' (eufemismo para referirse a los judíos). La élite de los investigadores se marcharon a los nuevos centros atómicos en Moscú. El sucesor de Ioffe en el Instituto Físico-Técnico de Leningrado, A. P. Komar, orientó las investigaciones hacia los métodos de separación de isótopos ligeros destinados a la bomba de hidrógeno.

En febrero de 1953 el físico E. F. Gross informó a los investigadores del descubrimiento del excitón y un mes más tarde un equipo de jóvenes físicos, en el que participaba Alférov, logró el primer transistor soviético de unión bipolar y poco después los rectificadores de potencia a base de germanio. En mayo de ese mismo año los primeros receptores de transistores fueron presentados a las máximas autoridades soviéticas.

En mayo de 1958, Anatolii Petrovic Alexandrov, futuro Presidente de la Academia de Ciencias de la Unión Soviética, encargó al equipo de Alférov el diseño de un dispositivo a base de semiconductores para el primer submarino atómico soviético. En octubre el nuevo dispositivo de rectificadores de germanio quedó instalado en el submarino. Poco después el Vicepresidente del Gobierno de la Unión Soviética, Dmitrii Fedorovich Ustinov, telefoneó personalmente a Alférov para que abandonara el Instituto y se instalase en las dependencias del laboratorio. Asimismo le fue otorgada su primera condecoración estatal.

En 1961 Zhorés Alférov leyó su tesis de graduación sobre los rectificadores de potencia de germanio.

En ese mismo año descubrió las ventajas de emplear en los láseres la doble heteroestructura del tipo p-i-n (p-n-n+, n-n-p+) de los semiconductores. Un mes antes de que lo observaran los investigadores estadounidenses de IBM lo hizo el equipo de Alférov con las heteroestructuras AlxGal-xAs. La Bell Telephone y la RCA abordaron también el estudio de las heteroestructuras de los semiconductores. Las investigaciones de Alférov permitieron el desarrollo de las tecnologías de los semiconductores heteroestructurales, y los consiguientes avances en los campos de los láseres, células fotoeléctricas y procesos epitaxiales de fabricación de microcomponentes.

Desde 1962 ha trabajado en el área de heteroestructuras de semiconductores III-V. Sus sobresalientes aportaciones a la física y la tecnología en este campo y en concreto, a las propiedades de inyección, el desarrollo de láseres, células solares, LED, y procesos epitaxiales han conducido a la creación de Física y Electrónica de heteroestructuras modernas

En 1967 Zhorés Alférov visitó los laboratorios STL (Standard Telecommunication Laboratories) en Harlow, cuna de la fibra óptica, y poco después se casó con Tamara Darskaya en el Grand Hotel Europa de Leningrado. Tamara trabajaba en el Centro Espacial de Moscú. Tras medio año de sucesivos viajes entre Leningrado y Moscú, Tamara se mudó a Leningrado. Tienen dos hijos, Olga e Ivan.

Zhorés y su equipo, entre 1968 y 1969 realizaron el control de flujos de electrones y luz en las heteroestructuras clásicas basadas en el arseniuro de galio-aluminio y en 1970 desarrollaron la primera célula solar con heteroestructura de GaAs. De gran importancia para Alférov fue la fabricación de láseres operativos a baja temperatura y a temperatura ambiente dentro de una doble heteroestructura (DHS), sugerida ya en 1963.

En agosto de 1969 viajó a los Estados Unidos para asistir a la Conferencia Internacional sobre Luminiscencia en Newarc (Delaware), donde habló sobre los láseres de temperatura ambiente (DHS) basados en AlGaAs.

En 1970 Zhorés Alférov se doctoró en Ciencias Físicas y Matemáticas.

Entre 1970 y 1971 ejerció seis meses como científico visitante, trabajando en el laboratorio de dispositivos semiconductores, en la Universidad de Illinois, Estados Unidos.

Entre sus muchos reconocimientos, ha recibido el premio Franklin Institute Ballantyne Medal (Estados Unidos año 1971); el premio Lenin (URSS año 1972); el premio Hewlett-Packard Europhysics (año 1978); el Premio Ioffe de la Academia de Ciencias de Rusia (año 1996) y el Premio Kioto en Tecnología Avanzada de 2001, entre otros.

En 1990 fue elegido presidente de la Academia Rusa de Ciencias y presidente del Centro Científico de San Petersburgo.

Es miembro de la Academia Nacional de Ciencias de los Estados Unidos, de la Academia de Ciencias de Rusia, de la Academia Nacional de Ciencias de Ucrania, de la Academia China de las Ciencias, de la Academia de Ciencias de Polonia y de la Real Academia de Ingeniería de España.

Zhorés Alférov, de ideología comunista, fue elegido miembro de la Duma del Estado en 1995 por el partido "Nuestro hogar es Rusia". En 1999 fue reelegido pero en las listas del Partido Comunista de la Federación Rusa. Repitió como diputado por este partido en 2003 y en 2007. Fue uno de los firmantes de una carta abierta a V. Putin en contra del clericalismo en Rusia.

En el año 2000, el Premio Nobel de física les fue concedido a Zhorés I. Alférov y a Herbert Kroemer por el desarrollo de las modernas heteroestructuras de semiconductores usadas en la optoelectrónica y electrónica de alta velocidad, y a Jack St. Clair Kilby por por su contribución a la invención del circuito integrado.

En febrero del año 2001 fundó el Fondo de soporte de la educación y la ciencia de los jóvenes de talento, para fomentar su desarrollo profesional e investigaciones en las ramas prioritarias de la ciencia. Para la primera inversión en el fondo Zhorés Alfiórov, utilizó los recursos de su premio Nobel.

El profesor Alférov fue investido Doctor Honoris Causa por la Universidad Politécnica de Madrid, a propuesta de la E.T.S. de Ingenieros de Telecomunicación, el día 1 de octubre de 2001.

Zhorés Alférov es autor de 4 libros, más de 500 publicaciones académicas y 50 invenciones en tecnología de semiconductores.

Zhorés Alférov falleció el 1 de marzo de 2019 en San Petersburgo, Rusia.

Más información

• E., P. M. (s.f.). Eng Thesaurus Rusnano. Obtenido de Glossary of NANOtechnology and related TERMS
• ETSIT UPM. (s.f.). ETSIT UPM. Obtenido de ETSIT UPM
• Frängsmyr, T. (2001). Nobel Prize. Obtenido de Nobel Prize
• Kyoto Prize. (s.f.). Kyoto Prize. Obtenido de Kyoto Prize
• Leroy, F. (2003). A Century of Nobel Prize Recipients: Chemistry, Physics, and Medicine. España: Markel Dekker.
• Mediatheque Lindau Nobel. (s.f.). Mediatheque Lindau Nobel. Obtenido de Lindau Nobel Laureate Meetings
• Interview with Zhores I. Alferov, Jack S. Kilby and Herbert Kroemer (25 minutes)