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ÁLAMO, Jesús A. del
ÁLAMO, Jesús A. del

Descripción

Jesús A. del Álamo (Soria, 1957). Ingeniero de Telecomunicación por la ETSIT-UPM y Doctor en Ingeniería Eléctrica por la Universidad de Stanford. Director de los Laboratorios de Tecnología de Microsistemas (2013-2019). Donner Professor y Profesor de Ingeniería Eléctrica en el Departamento de Ingeniería Eléctrica y Ciencias de la Computación en el Massachusetts Institute of Technology (MIT). Doctor Honoris Causa por la Universidad Politécnica de Madrid.

Biografía

Jesús A. del Álamo nació en Soria en 1957. Cursó los estudios de primaria y bachillerato en el Colegio de los Padres Franciscanos en Soria y el curso preuniversitario (COU) en el Instituto de la misma ciudad. En esa época, como señala el Profesor del Álamo, “decidí ser ingeniero de telecomunicación a los 10 años, cuando en un curso de trabajos manuales que dieron en la escuela, construimos radios y circuitos eléctricos. ¡Así fue donde mi pasión por la electricidad, las telecomunicaciones y la electrónica empezó!”

Obtuvo su título de Ingeniero de Telecomunicación por la Universidad Politécnica de Madrid en 1980. Simultáneamente con sus estudios en la ETSIT-UPM, de 1977 a 1981, investigó sobre células solares de silicio, bajo la dirección del Prof. Antonio Luque, en el Instituto de Energía Solar de la Universidad Politécnica de Madrid.

Se trasladó a los Estados Unidos y se matriculó en la Universidad de Stanford en California, donde completó una Maestría en Ingeniería Eléctrica en 1983 y realizó su Tesis Doctoral sobre el transporte de portadores minoritarios en silicio fuertemente dopado, bajo la dirección del Prof. Richard Swanson, logrando el Doctorado en Ingeniería Eléctrica en 1985.

En 1985, se incorporó a los Laboratorios LSI de Nippon Telegraph and Telephone Corporation en Atsugi (Japón), investigando un tema emergente en esa época, como eran los transistores de efecto campo basados en heteroestructuras de semiconductores compuestos III-V. Jesús del Álamo fue uno de los primeros empleados de NTT no japonés.

De regreso a los Estados Unidos, en 1988, Del Álamo es contratado como Profesor Adjunto en el Departamento de Ingeniería Eléctrica y Ciencia de la Computación en MIT. En 1991 fue nombrado Profesor Asociado, y desde este año hasta 1997, en que accedió al rango de Profesor. De 1991 a 1996, formó parte de los Investigadores Jóvenes Presidenciales de la Fundación de Ciencias de los EE.UU. En 1992 recibió el Premio Baker Memorial de Excelencia en la Enseñanza Universitaria y un año después le fue otorgado el premio H. E. Edgerton por Resultados entre el Profesorado Joven.

En 1999 fue elegido Miembro correspondiente de la Real Academia Española de Ingeniería.

En 2001, le fue concedido el Louis D. Smullin Award for Excellence in Teaching. Al año siguiente, el Amar Bose Award for Excellence in Teaching. En 2003 fue nombrado MacVicar Faculty Fellow.

En 2005 fue elegido Fellow del IEEE y desde este año al 2014 fue editor de IEEE Electron Device Letters.

En 2007 el MIT lo distinguió con el título de Donner Professor (un plus al título de catedrático).

En reconocimiento a sus trabajos de investigación y estudios de fiabilidad en la tecnología de los transistores de nitruro de galio y de arseniuro de indio y galio, le fue concedido por Intel el premio del año 2012 de Investigador Relevante en Dispositivos Emergentes. Asimismo el premio de Excelencia Técnica de las Corporaciones de Investigación en Semiconductores.

Asimismo en 2012, el IEEE concedió a Jesús del Álamo el Premio de Educación en Dispositivos Electrónicos por sus novedosas contribuciones al desarrollo de laboratorios en conexión remota para la formación en Microelectrónica a nivel mundial.

Desde 2013, el profesor del Álamo es catedrático de Ingeniería Eléctrica en el Departamento de Ingeniería Eléctrica y Ciencia de la Computación en MIT y hasta 2019 Director de los Laboratorios de Tecnología de Microsistemas, uno de los mayores y más relevantes centros de investigación del MIT, que reúne a más de 700 profesores, investigadores y estudiantes de todo el mundo, desarrollando su actividad en circuitos y sistemas, MEMS, dispositivos electrónicos y fotónicos, nanoelectrónica y tecnologías moleculares, ámbitos de investigación en los que son referencia mundial.

En 2014 el profesor del Álamo fue nombrado Fellow de la American Physical Society.

El 23 de noviembre de 2015, y a propuesta de la Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación, el profesor Jesús del álamo fue investido Doctor Honoris Causa por la Universidad Politécnica de Madrid. El nombramiento distingue su doble actividad de descubrir y enseñar lo que descubre, pues es pionero en el desarrollo de laboratorios online, para la enseñanza experimental de la Electrónica.

En 2019 fue elegido Fellow de la Sociedad de Investigación de Materiales y la Asociación de la Industria de Semiconductores y la Corporación de Investigación de Semiconductores le otorgaron el Premio de Investigador Universitario. Un año más tarde recibió el Premio IPRM y en 2021 el IEEE le concedió el Premio Cleo Brunetti.

A lo largo de su carrera, el Prof. del Álamo ha llevado a cabo investigaciones sobre transistores y otros dispositivos electrónicos en una gran variedad de materiales. Ha trabajado con células solares, transistores bipolares y transistores de efecto de campo de Si, dispositivos de heteroestructuras de SiGe, transistores de efecto de campo de alta movilidad de GaAs, InGaAs, InP, InGaSb y GaN, y más recientemente con transistores de efecto de campo de diamante. También ha investigado dispositivos de efecto cuánticos basados en heteroestructuras de GaAs. Actualmente, sus intereses en investigación se centran en la física, la tecnología, el modelado y la fiabilidad de transistores de efecto de campo, basados en nuevos semiconductores compuestos III-V, para aplicaciones en futuros circuitos lógicos.

También está investigando los fundamentos de la física de fiabilidad de los transistores de nitruro de galio en la amplificación de potencia en radiofrecuencia así como las aplicaciones de conmutación de potencia. Una reciente investigación le condujo a explorar el potencial del condensador ferroeléctrico HfZrO2 y los dispositivos electroquímicos de inserción de protón para aplicaciones de memoria analógica no-volátil en futuros sistemas de computación neuromórfica.

Además de en estos campos, el Prof. del Álamo ha investigado sobre la tecnología y pedagogía necesarias en la puesta en marcha de laboratorios remotos, a través de internet, para el fomento de la educación en ciencia e ingeniería en todo el mundo (el Proyecto iLab). Estudiantes del Prof. del Alamo han ganado numerosos premios a las mejores presentaciones en conferencias nacionales e internacionales. Por su investigación sobre transistores de efecto campo de InGaAs, fue galardonado con el Premio Intel de Investigador Sobresaliente en dispositivos emergentes 2012 y el Premio a la Excelencia Técnica del Semiconductor Research Corporation en 2012. El Prof. del Alamo imparte cursos de grado y de posgrado en electrónica, dispositivos electrónicos y circuitos, y física avanzada de dispositivos semiconductores. Ha recibido varios premios de enseñanza por el MIT y otras instituciones.

El Prof. del Álamo es autor del libro Integrated Microelectronic Devices: Physics and Modeling, orientado a enseñanza de la Microelectronica.

Recientemente ha lanzado el programa en MIT: The MIT AI Hardware Program. El nuevo programa refuerza la innovación en hardware de inteligencia artificial de última generación.

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