FENG, Milton
Descripción
Milton Feng [Taiwán, 1950]. Ingeniero eléctrico, inventor y profesor universitario en la Universidad de Illinois. Creó el primer transistor láser en colaboración con Nick Holonyak. Construyó el transistor más rápido del mundo, aproximándose al terahercio, permitiendo ordenadores más rápidos y sistemas de comunicaciones inalámbricas más flexibles.
Biografía
Milton Feng nació en Taiwán el 21 de julio de 1950.
En 1973, se licenció (B.S.) en ingeniería eléctrica en la Universidad de Columbia, en Nueva York. Posteriormente, en 1976 obtuvo un máster (M.S.) y en 1979 el doctorado (Ph.D.) en ingeniería eléctrica, ambos en la Universidad de Illinois Urbana-Champaign, centrada en la investigación y desarrollo de tecnologías avanzadas.
En 1979, Milton Feng ingresó en el Torrance Research Center de la Hughes Aircraft Company en Torrance (California), como jefe del grupo de materiales y dispositivos semiconductores GaAs, en tecnologías de altas frecuencias para fabricación de circuitos integrados. Se encargó de la tecnología de implantación de iones. En 1983, desarrolló un transistor de efecto campo metal/ semiconductor (MESFET) y un circuito integrado, MMIC, de bajo ruido y potencia implantado con iones directos. Feng presentó este año los primeros amplificadores GaAs de 60 GHz.
En 1984 se incorporó a Ford Microelectronics, Inc., en Colorado Springs, donde permaneció hasta 1986. Fue responsable del programa avanzado de desarrollo de circuitos integrados digitales en 1 K, de memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática).
En 1991, Milton Feng regresó a la Universidad de Illinois Urbana-Champaign como profesor de Ingeniería Eléctrica e Informática y profesor de Investigación en el Laboratorio de Microelectrónica, donde ha participado en innumerables proyectos.
En 2003, Milton Feng y sus estudiantes graduados, Walid Hafez y Jie-Wei Lai, batieron el récord del transistor más rápido del mundo. Su dispositivo, hecho de fosfuro de indio y arseniuro de indio y galio con una base de 25 nanómetros de espesor y un colector de 75 nanómetros de espesor, marcaba una frecuencia de 509 GHz, que era 57 GHz más rápido que el registro anterior.
En 2004, Milton Feng y Nick Holonyak hicieron el primer transistor emisor de luz del mundo. Este dispositivo híbrido, fabricado por el estudiante graduado de Feng, Walid Hafez, tenía una entrada eléctrica y dos salidas (salida eléctrica y salida óptica) y funcionaba a una frecuencia de 1 MHz. El dispositivo estaba hecho de fosfuro de indio y galio, arseniuro de indio y galio y emitía fotones infrarrojos desde la capa base.
En 2005, lograron la fabricación de un dispositivo en el Laboratorio de Microelectrónica y Nanotecnología que rompió su propio récord en rapidez, llegando a 604 GHz.
En 2006, Feng y otro estudiante graduado, William Snodgrass, fabricaron con fosfuro de indio y arseniuro de galio indio un dispositivo, operando a 765 GHz a temperatura ambiente y 845 GHz a -55 ° C.
En ese mismo año el Instituto de Física eligió los cinco documentos más importantes en cada una de las revistas desde su fundación hacía 75 años. Uno de ellos, escrito por Nick Holonyak y Milton Feng en 2005, informaba de la fabricación del láser transistor que puede operar a temperatura ambiente mediante la deposición de vapor orgánico de metal (MOCVD). La cavidad emisora tenía 2200 nanómetros de ancho y 0,85 milímetros de largo, con modos continuos a 1000 nanómetros, y un umbral de corriente de 40 mA con modulación directa del láser a 3 GHz.
A partir de 2007, Nick Holonyak y Milton Feng dirigieron el centro de investigación del transistor láser en la Universidad de Illinois Urbana-Champaign, con un presupuesto de 6,5 millones de dólares financiado por el Departamento de Defensa de los Estados Unidos, a través de DARPA (Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados de Defensa). Diez de sus 60 doctorandos desarrollaron nuevas aplicaciones para la tecnología LED en Philips Lumileds Lighting Company de Silicon Valley.
Desde 2010, Feng ha sido el líder, tanto en láseres de emisión superficial con cavidad vertical (VCSEL) para interconexión óptica, como en amplificadores de potencia y circuitos integrados de tipo II InP DHBT para comunicaciones inalámbricas 5G.
Milton Feng ha publicado más de 250 artículos y ha impartido más de 220 conferencias. Tiene registradas más de 35 patentes estadounidenses en microelectrónica de semiconductores.
Feng es Miembro del IEEE (Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos), desde 1992; Miembro Asociado del Centro de Estudios Avanzados, desde 1998; Miembro de OSA (Optical Society of America), desde 2003; Miembro de Tau Beta Pi (Integridad y excelencia en ingeniería); Miembro de Eta Kapp Nu (IEEE), Miembro de Sigma Xi (Sociedad de Honor de Investigación Científica). Ha pertenecido y forma parte de numerosos Comités estratégicos en diversos campos (industria, academia, divulgación científica…).
Ha recibido numerosos premios y reconocimientos durante su trayectoria profesional, entre los que destacan:
Milton Feng nació en Taiwán el 21 de julio de 1950.
En 1973, se licenció (B.S.) en ingeniería eléctrica en la Universidad de Columbia, en Nueva York. Posteriormente, en 1976 obtuvo un máster (M.S.) y en 1979 el doctorado (Ph.D.) en ingeniería eléctrica, ambos en la Universidad de Illinois Urbana-Champaign, centrada en la investigación y desarrollo de tecnologías avanzadas.
En 1979, Milton Feng ingresó en el Torrance Research Center de la Hughes Aircraft Company en Torrance (California), como jefe del grupo de materiales y dispositivos semiconductores GaAs, en tecnologías de altas frecuencias para fabricación de circuitos integrados. Se encargó de la tecnología de implantación de iones. En 1983, desarrolló un transistor de efecto campo metal/ semiconductor (MESFET) y un circuito integrado, MMIC, de bajo ruido y potencia implantado con iones directos. Feng presentó este año los primeros amplificadores GaAs de 60 GHz.
En 1984 se incorporó a Ford Microelectronics, Inc., en Colorado Springs, donde permaneció hasta 1986. Fue responsable del programa avanzado de desarrollo de circuitos integrados digitales en 1 K, de memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática).
En 1991, Milton Feng regresó a la Universidad de Illinois Urbana-Champaign como profesor de Ingeniería Eléctrica e Informática y profesor de Investigación en el Laboratorio de Microelectrónica, donde ha participado en innumerables proyectos.
En 2003, Milton Feng y sus estudiantes graduados, Walid Hafez y Jie-Wei Lai, batieron el récord del transistor más rápido del mundo. Su dispositivo, hecho de fosfuro de indio y arseniuro de indio y galio con una base de 25 nanómetros de espesor y un colector de 75 nanómetros de espesor, marcaba una frecuencia de 509 GHz, que era 57 GHz más rápido que el registro anterior.
En 2004, Milton Feng y Nick Holonyak hicieron el primer transistor emisor de luz del mundo. Este dispositivo híbrido, fabricado por el estudiante graduado de Feng, Walid Hafez, tenía una entrada eléctrica y dos salidas (salida eléctrica y salida óptica) y funcionaba a una frecuencia de 1 MHz. El dispositivo estaba hecho de fosfuro de indio y galio, arseniuro de indio y galio y emitía fotones infrarrojos desde la capa base.
En 2005, lograron la fabricación de un dispositivo en el Laboratorio de Microelectrónica y Nanotecnología que rompió su propio récord en rapidez, llegando a 604 GHz.
En 2006, Feng y otro estudiante graduado, William Snodgrass, fabricaron con fosfuro de indio y arseniuro de galio indio un dispositivo, operando a 765 GHz a temperatura ambiente y 845 GHz a -55 ° C.
En ese mismo año el Instituto de Física eligió los cinco documentos más importantes en cada una de las revistas desde su fundación hacía 75 años. Uno de ellos, escrito por Nick Holonyak y Milton Feng en 2005, informaba de la fabricación del láser transistor que puede operar a temperatura ambiente mediante la deposición de vapor orgánico de metal (MOCVD). La cavidad emisora tenía 2200 nanómetros de ancho y 0,85 milímetros de largo, con modos continuos a 1000 nanómetros, y un umbral de corriente de 40 mA con modulación directa del láser a 3 GHz.
A partir de 2007, Nick Holonyak y Milton Feng dirigieron el centro de investigación del transistor láser en la Universidad de Illinois Urbana-Champaign, con un presupuesto de 6,5 millones de dólares financiado por el Departamento de Defensa de los Estados Unidos, a través de DARPA (Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados de Defensa). Diez de sus 60 doctorandos desarrollaron nuevas aplicaciones para la tecnología LED en Philips Lumileds Lighting Company de Silicon Valley.
Desde 2010, Feng ha sido el líder, tanto en láseres de emisión superficial con cavidad vertical (VCSEL) para interconexión óptica, como en amplificadores de potencia y circuitos integrados de tipo II InP DHBT para comunicaciones inalámbricas 5G.
Milton Feng ha publicado más de 250 artículos y ha impartido más de 220 conferencias. Tiene registradas más de 35 patentes estadounidenses en microelectrónica de semiconductores.
Feng es Miembro del IEEE (Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos), desde 1992; Miembro Asociado del Centro de Estudios Avanzados, desde 1998; Miembro de OSA (Optical Society of America), desde 2003; Miembro de Tau Beta Pi (Integridad y excelencia en ingeniería); Miembro de Eta Kapp Nu (IEEE), Miembro de Sigma Xi (Sociedad de Honor de Investigación Científica). Ha pertenecido y forma parte de numerosos Comités estratégicos en diversos campos (industria, academia, divulgación científica…).
Ha recibido numerosos premios y reconocimientos durante su trayectoria profesional, entre los que destacan:
- Entre 1980 y 1983 ganó cuatro veces el Premio de invención de la división Hughes.
- En 1989, el Premio al Investigador Principal Sobresaliente en Tecnología Corporativa Ford Aerospace.
- En 1993, el Premio de investigación Arnold Beckman
- En 1997, el Premio IEEE David Sarnoff.
- En 2000, el Premio de Investigación Excepcional Pan Wen Yuan en Microelectrónica.
- En 2005, fue elegido como el primer profesor de la cátedra Holonyak de Ingeniería Eléctrica e Informática.
- En 2005 y 2006, en Discover Magazine se incluyó al transistor láser en el top 100 de los inventos más importantes en 2005.
- En 2006, su trabajo de investigación del transistor láser fue seleccionado como uno de los cinco mejores en los 43 años de historia de las Cartas de Física Aplicada.
- En 2010, recibió el premio internacional del Simposio internacional de electrónica y dispositivos y materiales.
- En 2013, recibió el Premio Wood de la Sociedad Óptica (OSA), en reconocimiento por la invención conjunta y la realización del transistor láser, que entregaba simultáneamente una señal eléctrica y una salida láser coherente y proporcionaba la base para un circuito integrado eléctrico-fotónico revolucionario, más nuevo y de mayor velocidad.
- En los años 1995, 1996 y 1998, recibió los Premios Anderson Consulting a la excelencia en el asesoramiento de la Facultad de Ingeniería.
Más información
- Biografía en "Electrical and Computer Engineering" (University of Illinois Urbana-Champaign)
- Biografía en "IEEE Xplore"
- Biografía en "Illinois Distributed Museum"
- Noticia "World's fastest transistor approaches goal of terahertz device", en University of Illinois Urbana-Champaign
- Biografía en "People Pill"
