Descripción
Biografía
Nicholas (Nick) Holonyak, Jr. nació el 3 de noviembre de 1928 en Zeigler, Illinois, en Estados Unidos. Sus padres fueron unos humildes inmigrantes rusinos (de la Rus de Transcarpatia, actualmente en Ucrania), que se establecieron en el sur de Illinois, donde el padre trabajó en una mina de carbón. Nick, que a los 14 años pensaba seguir su camino, experimentó la dureza del trabajo físico en la Estación Central de ferrocarril de Illinois, trabajando treinta horas seguidas y tomó la decisión de estudiar.
Holonyak ingresó en una escuela secundaria próxima a Zeigler. En 1947 accedió a la Universidad de Illinois en el campus de Urbana-Champaign, licenciándose en Ingeniería Eléctrica en 1950. Al año siguiente obtuvo el Máster y en 1954 el Doctorado, con la tesis: Effect of Surface Conditions on Charactristicsof Rectifier Junctions, dirigida por John Bardeen, dos veces premio Nobel, coinventor del transistor.
En 1954, Nick Holonyak se incorporó a los Bell Telephone Laboratories, situados en el barrio neoyorkino de Murray Hill. Trabajó durante dos años en dispositivos semiconductores basados en silicio, demostrando su viabilidad mediante la difusión de impurezas.
De 1955 a 1957 sirvió en el Cuerpo de Transmisión del Ejército de EE. UU. Y en 1957 fue contratado como investigador de Optoelectrónica en el Laboratorio de General Electric (GE) en Syracuse, Nueva York.
Holonyak desarrolló una técnica para producir compuestos de dos o tres elementos en un cristal casi perfecto, así como cristales de aleaciones compuestas de cuatro elementos, intercalando diferentes materiales para la generación de láseres de pozos cuánticos. De esta forma pudo conseguir dispositivos capaces de emitir luz, a longitudes de onda imposibles de lograr con un solo elemento en cristal de silicio. Fue también responsable de otros avances en el área de preparación de cristales de compuestos y aleaciones ternarias, diodos emisores de luz y láseres semiconductores. Colaboró en el diseño del primer regulador de intensidad (dimmer).
En 1959 Holonyak fue el primero en fabricar diodos de túnel de silicio y también quien por primera vez observó el efecto túnel mediante fonones.
En 1962, varios investigadores del laboratorio de electrónica de GE estaban trabajando en la conversión de corriente eléctrica en luz. Y entre ellos, Robert N. Hall había desarrollado un láser utilizando un diodo semiconductor, que emitió solo radiación infrarroja, más allá del alcance de la visión humana. Por su parte, Holonyak decidió hacer un diodo que emitiera luz visible. Empleando fosfoarseniuro de galio (GaAsP) y aplicando la técnica de emisión estimulada, en 1962 Holonyak logró el primer dispositivo visible LED (Light Emission Diode), que emitió luz roja. La invención del primer láser semiconductor visible (rojo), está catalogado entre los logros más destacados del siglo XX.
En 1963, Holonyak dejó General Electric para incorporarse al claustro de la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign, en la cátedra John Bardeen de Ingeniería Eléctrica y Física, donde creó el Laboratorio de Investigación de Materiales.
Tras lograrse en 1970 el LED que produjo luz verde y el LED de luz azul en 1990, se abrió el camino para obtener LEDs que emitiesen luz blanca, revolucionando de esta forma la industria de la iluminación. En la edición de febrero de 1963 del Reader's Digest, Holonyak predijo que los LEDs reemplazarían a la bombilla incandescente de Thomas A. Edison.
Desde 1976, Holonyak llevó a cabo en el laboratorio de la Universidad de Illinois una amplia investigación sobre pozos cuánticos y otras estructuras novedosas emisoras de luz. Hoy en día los pozos cuánticos son de aplicación en comunicaciones por fibra óptica, equipos médicos, instrumentación, internet. En 1976, Holonyak, con la ayuda de un estudiante, fabricó el primer laser de pozo cuántico.
En 2006, el Instituto Americano de Física eligió los cinco documentos más importantes en cada una de sus revistas desde su fundación, 75 años antes. Dos de estos cinco artículos, según la revista Applied Physics Letters, fueron escritos por Holonyak. El primero, en coautoría con S. F. Bevacqua en 1962, anunciando la creación del primer LED de luz visible. El segundo, teniendo como coautor a Milton Feng en 2005, informó de la fabricación de un láser transistor que puede funcionar a temperatura ambiente.
A partir de 2007, Nick Holonyak dejó de impartir clases para dedicarse plenamente a la investigación. Él y Milton Feng dirigieron el centro de investigación del transistor láser en la Universidad, con un presupuesto de 6,5 millones de dólares financiado por el Departamento de Defensa de los Estados Unidos, a través de DARPA (Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados de Defensa). Diez de sus 60 doctorandos desarrollan nuevas aplicaciones para la tecnología LED en Philips Lumileds Lighting Company de Silicon Valley.
Tras 50 años en la Universidad de Illinois, Holonyak se retiró y pasó a profesor emérito en 2013.
Ha obtenido más de 40 patentes en el campo de los semiconductores y es autor o coautor de más de 380 artículos técnicos y dos libros: Semiconductors Controlled Rectifiers (1964) y Physical Properties of Semiconductors (1989).
Nick Holonyak fue nombrado miembro de las Academias Estadounidenses de Ingeniería y de Ciencias, fellow de la Academia de Artes y Ciencias de los Estados Unidos y de la Sociedad de Física Estadounidense, miembro extranjero de la Academia Rusa de las Ciencias y miembro vitalicio del IEEE (Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos). Los presidentes de los Estados Unidos, George Bush y su hijo George W. Bush, el emperador Akihito de Japón y el presidente ruso Vladimir Putin le entregaron personalmente las más altas distinciones de sus países. En 2015 Holonyak y dos de sus discípulos, George Crafor y Russell Dupuis, fueron tres de los cinco ingenieros distinguidos por la Academia Estadounidense de Ingeniería, con el Charles Stark Draper Prize.
Otros reconocimientos a la labor sobresaliente desarrollada por Nick Holonyak a lo largo de su carrera, han sido:
- En 1962, Premio de General Electric.
- En 1973, Medalla Morris Liebmann del IEEE.
- En 1981, Medalla Jack A. Morton del IEEE:
- En 1989, Medalla Edison del IEEE por "una carrera sobresaliente en el campo de la ingeniería eléctrica”.
- En 1992, Premio Charles Hard Townes de la Optical Society of America.
- En 1993, Premio NAS por la Aplicación Industrial de la Ciencia.
- En 1995, Premio de Japón dotado con medio millón de dólares por "Contribuciones sobresalientes a la investigación y aplicaciones prácticas de diodos y láseres emisores de luz".
- En 1995, Medalla John Scott de Filadelfia.
- En 2001, Medalla Frederic Ives de la Optical Society of America.
- En 2005, Laureado de la Academia Lincoln de Illinois y miembro de la Orden de Lincoln (el más alto honor del Estado) en el área de Ciencias.
- El 9 de noviembre de 2007, honrado en el campus de la Universidad de Illinois con un marcador histórico que reconoce su desarrollo del láser de pozo cuántico.
- En 2008, incluido en el Salón de la Fama de Inventores Estadounidenses.
- En septiembre de 2018, el Village of Glen Carbon, en Illinois, fijó una placa honorífica con el nombre del Dr. Nick Holonyak para honrar al antiguo residente del Village.
- También recibió el Premio Internacional de Energía Global, la Medalla Nacional de Tecnología, el Medallón de la Orden de Lincoln y el Premio Lemelson-MIT 2004.
Muchos de sus colegas expresaron la creencia de que el Premio Nobel recaería en Nick Holonyiak por su invención del LED rojo. Sin embargo, en octubre de 2014, fue Hiroshi Amano, inventor del LED azul, quien recibió el Premio Nobel de Física. Nick Holonyak calificó esta decisión como “insultante”.
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